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BAT54AWT1G

BAT54AWT1G BAT54AWT1G

Solo per riferimento

Numero parte BAT54AWT1G
PNEDA Part # BAT54AWT1G
Descrizione DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT323
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.536
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Consegna stimata lug 20 - lug 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BAT54AWT1G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBAT54AWT1G
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Array
Datasheet
BAT54AWT1G, BAT54AWT1G Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 56,09 KB)
PDFBAT54AWT1G Datasheet Copertura
BAT54AWT1G Datasheet Pagina 2 BAT54AWT1G Datasheet Pagina 3 BAT54AWT1G Datasheet Pagina 4

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BAT54AWT1G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Configurazione diodi1 Pair Common Anode
Tipo di diodoSchottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)30V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)200mA (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If800mV @ 100mA
VelocitàSmall Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr)5ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr2µA @ 25V
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 125°C
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSC-70, SOT-323
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-323

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

30V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

200mA (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

800mV @ 100mA

Velocità

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Tempo di recupero inverso (trr)

5ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

2µA @ 25V

Temperatura di esercizio - Giunzione

150°C (Max)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT323-3

PMEG3020CPASX

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

30V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

2A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

440mV @ 2A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

4ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

2mA @ 30V

Temperatura di esercizio - Giunzione

150°C (Max)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

3-UDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

DFN2020D-3

BYC10-600CT,127

WeEn Semiconductors

Produttore

WeEn Semiconductors

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

10A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

2.9V @ 5A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

50ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 600V

Temperatura di esercizio - Giunzione

150°C (Max)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

MBR4045WTG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

SWITCHMODE™

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

45V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

20A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

700mV @ 20A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 45V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247

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Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Anode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

35V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

200A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

600mV @ 200A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

3mA @ 35V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

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