TC6320K6-G
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| Numero parte | TC6320K6-G |
| PNEDA Part # | TC6320K6-G |
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 200V 8VDFN |
| Produttore | Microchip Technology |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.374 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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TC6320K6-G Risorse
| Brand | Microchip Technology |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | TC6320K6-G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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TC6320K6-G Specifiche
| Produttore | Microchip Technology |
| Serie | - |
| Tipo FET | N and P-Channel |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7Ohm @ 1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 110pF @ 25V |
| Potenza - Max | - |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-VDFN Exposed Pad |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-DFN (4x4) |
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Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 9.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.5mOhm @ 9.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 90nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 760pF @ 15V Potenza - Max 2W Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
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