DMP2100UFU-13
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| Numero parte | DMP2100UFU-13 |
| PNEDA Part # | DMP2100UFU-13 |
| Descrizione | MOSFET 2P-CH 20V U-DFN2030-6 |
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.560 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 24 - mag 29 (Scegli Spedizione rapida) |
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DMP2100UFU-13 Risorse
| Brand | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | DMP2100UFU-13 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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DMP2100UFU-13 Specifiche
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.7A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 38mOhm @ 3.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21.4nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 906pF @ 10V |
| Potenza - Max | 900mW |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 6-UFDFN Exposed Pad |
| Pacchetto dispositivo fornitore | U-DFN2030-6 |
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Produttore Diodes Incorporated Serie * Tipo FET - Funzione FET - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-363 |
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Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 14.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.6mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41.9nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2026pF @ 30V Potenza - Max 2.6W Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore PowerDI5060-8 |
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Produttore Infineon Technologies Serie FETKY™ Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 10A Rds On (Max) @ Id, Vgs 17.5mOhm @ 10A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1500pF @ 15V Potenza - Max 2W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 14-SOIC |
