IR2151
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| Numero parte | IR2151 |
| PNEDA Part # | IR2151 |
| Descrizione | IC DRVR HALF BRDG SELF-OSC 8-DIP |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.820 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 23 - giu 28 (Scegli Spedizione rapida) |
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IR2151 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IR2151 |
| Categoria | Semiconduttori › CI di gestione dell'alimentazione › PMIC - Gate driver |
| Datasheet |
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IR2151 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Configurazione guidata | Half-Bridge |
| Tipo di canale | Synchronous |
| Numero di driver | 2 |
| Tipo di porta | IGBT, N-Channel MOSFET |
| Tensione - Alimentazione | 10V ~ 20V |
| Tensione logica - VIL, VIH | - |
| Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) | 125mA, 250mA |
| Tipo di ingresso | RC Input Circuit |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 600V |
| Tempo di salita / discesa (tipico) | 80ns, 40ns |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-PDIP |
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Produttore Renesas Electronics America Inc. Serie - Configurazione guidata Half-Bridge Tipo di canale Synchronous Numero di driver 2 Tipo di porta N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 7V ~ 13.2V Tensione logica - VIL, VIH - Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 1.25A, 2A Tipo di ingresso Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 36V Tempo di salita / discesa (tipico) 26ns, 18ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC-EP |
Produttore Renesas Electronics America Inc. Serie - Configurazione guidata Half-Bridge Tipo di canale Synchronous Numero di driver 2 Tipo di porta N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 7V ~ 13.2V Tensione logica - VIL, VIH - Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 1.25A, 2A Tipo di ingresso Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 36V Tempo di salita / discesa (tipico) 26ns, 18ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC-EP |
Produttore Renesas Electronics America Inc. Serie - Configurazione guidata Half-Bridge Tipo di canale Synchronous Numero di driver 2 Tipo di porta N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Tensione logica - VIL, VIH 1V, 2V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 2A, 2A Tipo di ingresso Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 36V Tempo di salita / discesa (tipico) 8ns, 8ns Temperatura di esercizio -10°C ~ 125°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-VQFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 8-QFN (3x3) |
Produttore Renesas Electronics America Inc. Serie - Configurazione guidata Half-Bridge Tipo di canale Independent Numero di driver 2 Tipo di porta N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 9V ~ 14V Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.2V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 2A, 2A Tipo di ingresso Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 114V Tempo di salita / discesa (tipico) 10ns, 10ns Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
