SQJQ906E-T1_GE3
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| Numero parte | SQJQ906E-T1_GE3 |
| PNEDA Part # | SQJQ906E-T1_GE3 |
| Descrizione | MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8 |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 20.478 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 15 - giu 20 (Scegli Spedizione rapida) |
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SQJQ906E-T1_GE3 Risorse
| Brand | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SQJQ906E-T1_GE3 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
SQJQ906E-T1_GE3, SQJQ906E-T1_GE3 Datasheet
(Totale pagine: 7, Dimensioni: 185,9 KB)
  
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SQJQ906E-T1_GE3 Specifiche
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 40V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 95A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3600pF @ 20V |
| Potenza - Max | 50W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | PowerPAK® 8 x 8 Dual |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® 8 x 8 Dual |
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Produttore Vishay Siliconix Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 6A, 10V, 19mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V, 15nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1390pF @ 25V, 650pF @ 25V Potenza - Max 48W Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia PowerPAK® SO-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33.7nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1640pF @ 20V Potenza - Max 1.8W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
Produttore EPC Serie eGaN® Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET GaNFET (Gallium Nitride) Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 23A Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.3mOhm @ 20A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 5.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 800pF @ 50V Potenza - Max - Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia Die Pacchetto dispositivo fornitore Die |
Produttore ON Semiconductor Serie PowerTrench® Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 3.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 200pF @ 10V Potenza - Max 800mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-WFDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 6-MicroFET (2x2) |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N and P-Channel Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 220mA, 120mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 4Ohm @ 400mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.4nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 9.5pF @ 10V Potenza - Max 700mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore SuperSOT™-6 |
