FDMJ1028N
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| Numero parte | FDMJ1028N |
| PNEDA Part # | FDMJ1028N |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V 3.2A 6-MICROFET |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.012 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 9 - giu 14 (Scegli Spedizione rapida) |
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FDMJ1028N Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | FDMJ1028N |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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FDMJ1028N Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | PowerTrench® |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.2A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 3.2A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 200pF @ 10V |
| Potenza - Max | 800mW |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 6-WFDFN Exposed Pad |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 6-MicroFET (2x2) |
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Produttore ON Semiconductor Serie PowerTrench® Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs 68mOhm @ 3.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.2nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 375pF @ 15V Potenza - Max 700mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-VDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 6-MicroFET (2x2) |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id 1.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35.2nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2360pF @ 6V Potenza - Max 2.4W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-SMD, No Lead Pacchetto dispositivo fornitore X3-DSN2718-6 |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.17A, 1.64A Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.9nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 190pF @ 25V Potenza - Max 870mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOP |
Produttore Rohm Semiconductor Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 14A Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2550pF @ 15V Potenza - Max 3W Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore 8-HSOP |
Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 37A Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 18.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 96nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4367pF @ 25V Potenza - Max 312W Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia SP3 Pacchetto dispositivo fornitore SP3 |
