SQJ570EP-T1_GE3
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Numero parte | SQJ570EP-T1_GE3 |
PNEDA Part # | SQJ570EP-T1_GE3 |
Descrizione | MOSFET N/P-CH 100V POWERPAK SO8 |
Produttore | Vishay Siliconix |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 4.662 |
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SQJ570EP-T1_GE3 Risorse
Brand | Vishay Siliconix |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | SQJ570EP-T1_GE3 |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
Datasheet |
SQJ570EP-T1_GE3, SQJ570EP-T1_GE3 Datasheet
(Totale pagine: 10, Dimensioni: 293,8 KB)
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SQJ570EP-T1_GE3 Specifiche
Produttore | Vishay Siliconix |
Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
Tipo FET | N and P-Channel |
Funzione FET | Standard |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 15A (Tc), 9.5A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 6A, 10V, 146mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V, 15nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 650pF @ 25V, 600pF @ 25V |
Potenza - Max | 27W |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / Custodia | PowerPAK® SO-8 Dual |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 Dual |
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