SQJ570EP-T1_GE3
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| Numero parte | SQJ570EP-T1_GE3 |
| PNEDA Part # | SQJ570EP-T1_GE3 |
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 100V POWERPAK SO8 |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.662 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 20 - lug 25 (Scegli Spedizione rapida) |
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SQJ570EP-T1_GE3 Risorse
| Brand | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SQJ570EP-T1_GE3 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
SQJ570EP-T1_GE3, SQJ570EP-T1_GE3 Datasheet
(Totale pagine: 10, Dimensioni: 293,8 KB)
  
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SQJ570EP-T1_GE3 Specifiche
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| Tipo FET | N and P-Channel |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 15A (Tc), 9.5A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 6A, 10V, 146mOhm @ 6A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V, 15nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 650pF @ 25V, 600pF @ 25V |
| Potenza - Max | 27W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 Dual |
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