SQJ570EP-T1_GE3 Datasheet
SQJ570EP-T1_GE3 Datasheet
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Vishay Siliconix
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
SQJ570EP-T1_GE3
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Produttore Vishay Siliconix Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Tipo FET N and P-Channel Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 15A (Tc), 9.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 6A, 10V, 146mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V, 15nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 650pF @ 25V, 600pF @ 25V Potenza - Max 27W Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia PowerPAK® SO-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® SO-8 Dual |
