PMWD19UN,518
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| Numero parte | PMWD19UN,518 |
| PNEDA Part # | PMWD19UN-518 |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP |
| Produttore | NXP |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.176 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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PMWD19UN Risorse
| Brand | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | PMWD19UN,518 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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PMWD19UN Specifiche
| Produttore | NXP USA Inc. |
| Serie | TrenchMOS™ |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.6A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 3.5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 700mV @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1478pF @ 10V |
| Potenza - Max | 2.3W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-TSSOP |
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