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SQ4946EY-T1-E3

SQ4946EY-T1-E3

Solo per riferimento

Numero parte SQ4946EY-T1-E3
PNEDA Part # SQ4946EY-T1-E3
Descrizione MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOIC
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.672
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 13 - mag 18 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SQ4946EY-T1-E3 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSQ4946EY-T1-E3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
SQ4946EY-T1-E3, SQ4946EY-T1-E3 Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 111,76 KB)
PDFSQ4946EY-T1-E3 Datasheet Copertura
SQ4946EY-T1-E3 Datasheet Pagina 2 SQ4946EY-T1-E3 Datasheet Pagina 3 SQ4946EY-T1-E3 Datasheet Pagina 4 SQ4946EY-T1-E3 Datasheet Pagina 5 SQ4946EY-T1-E3 Datasheet Pagina 6 SQ4946EY-T1-E3 Datasheet Pagina 7 SQ4946EY-T1-E3 Datasheet Pagina 8 SQ4946EY-T1-E3 Datasheet Pagina 9

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  • SQ4946EY-T1-E3 Distributor

SQ4946EY-T1-E3 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs55mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max2.4W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

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Produttore

Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

1.25V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.9nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

2.3W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-XFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

6-PicoStar

NTJD4152PT2G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

880mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

260mOhm @ 880mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.2nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

155pF @ 20V

Potenza - Max

272mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Renesas Electronics America

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain

Funzione FET

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

32.5mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.3nC @ 4V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

615pF @ 10V

Potenza - Max

1.15W (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

4-XFLGA

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Serie

NexFET™

Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.8nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

900pF @ 15V

Potenza - Max

6W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9A (Ta), 6.5A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 6A, 10V, 45mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.8nC @ 4.5V, 10.6nC @ 4.5V

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