CSD83325L
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| Numero parte | CSD83325L |
| PNEDA Part # | CSD83325L |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 12V 6PICOSTAR |
| Produttore | Texas Instruments |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.030 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 20 - mag 25 (Scegli Spedizione rapida) |
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CSD83325L Risorse
| Brand | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | CSD83325L |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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CSD83325L Specifiche
| Produttore | |
| Serie | NexFET™ |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 12V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.25V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.9nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Potenza - Max | 2.3W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 6-XFBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 6-PicoStar |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 3.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1120pF @ 10V Potenza - Max 900mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
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Produttore Infineon Technologies Serie OptiMOS™ Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Funzione FET Logic Level Gate, 4.5V Drive Tensione Drain to Source (Vdss) 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 19A, 41A Rds On (Max) @ Id, Vgs 3mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.4nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 12V Potenza - Max 2.5W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore PG-TISON-8 |
Produttore Nexperia USA Inc. Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 200mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.1Ohm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.75nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 46pF @ 15V Potenza - Max 445mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore 6-TSSOP |
Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 70A Rds On (Max) @ Id, Vgs 21mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 200nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5100pF @ 25V Potenza - Max 208W Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia SP3 Pacchetto dispositivo fornitore SP3 |
