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UPA2380T1P-E4-A

UPA2380T1P-E4-A

Solo per riferimento

Numero parte UPA2380T1P-E4-A
PNEDA Part # UPA2380T1P-E4-A
Descrizione MOSFET N-CH DUAL LGA
Produttore Renesas Electronics America
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.020
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 22 - apr 27 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

UPA2380T1P-E4-A Risorse

Brand Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteUPA2380T1P-E4-A
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array

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UPA2380T1P-E4-A Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual) Common Drain
Funzione FETLogic Level Gate, 2.5V Drive
Tensione Drain to Source (Vdss)12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs32.5mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.3nC @ 4V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds615pF @ 10V
Potenza - Max1.15W (Ta)
Temperatura di esercizio150°C
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia4-XFLGA
Pacchetto dispositivo fornitore4-EFLIP-LGA (1.11x1.11)

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Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

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Tipo FET

4 N-Channel

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

14.8A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.4nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

864pF @ 30V

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

12-VDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

V-DFN5045-12

FDMS7620S

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10.1A, 12.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 10.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

608pF @ 15V

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerWDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

Power56

IRF7752GTRPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 4.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

861pF @ 25V

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

APTM50HM75STG

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo FET

4 N-Channel (H-Bridge)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

46A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 23A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

123nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5600pF @ 25V

Potenza - Max

357W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP4

Pacchetto dispositivo fornitore

SP4

NTHD4401PT3

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

155mOhm @ 2.1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

300pF @ 10V

Potenza - Max

1.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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