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SI4816BDY-T1-E3

SI4816BDY-T1-E3

Solo per riferimento

Numero parte SI4816BDY-T1-E3
PNEDA Part # SI4816BDY-T1-E3
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 24.168
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 13 - mag 18 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SI4816BDY-T1-E3 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSI4816BDY-T1-E3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
SI4816BDY-T1-E3, SI4816BDY-T1-E3 Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 194,15 KB)
PDFSI4816BDY-T1-GE3 Datasheet Copertura
SI4816BDY-T1-GE3 Datasheet Pagina 2 SI4816BDY-T1-GE3 Datasheet Pagina 3 SI4816BDY-T1-GE3 Datasheet Pagina 4 SI4816BDY-T1-GE3 Datasheet Pagina 5 SI4816BDY-T1-GE3 Datasheet Pagina 6 SI4816BDY-T1-GE3 Datasheet Pagina 7 SI4816BDY-T1-GE3 Datasheet Pagina 8 SI4816BDY-T1-GE3 Datasheet Pagina 9 SI4816BDY-T1-GE3 Datasheet Pagina 10 SI4816BDY-T1-GE3 Datasheet Pagina 11

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  • SI4816BDY-T1-E3 Distributor

SI4816BDY-T1-E3 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
SerieLITTLE FOOT®
Tipo FET2 N-Channel (Half Bridge)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C5.8A, 8.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs18.5mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max1W, 1.25W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

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Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

440mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.8Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.45pC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

32pF @ 25V

Potenza - Max

650mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-563

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21.7nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.6W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

4-XFBGA, FCBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

EFCP1616-4CE-022

FDMS001N025DSD

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

*

Tipo FET

-

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.9A, 4.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

27mOhm @ 5.9A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

677pF @ 10V

Potenza - Max

1.2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP

Pacchetto dispositivo fornitore

SuperSOT™-6 FLMP

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

85mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24.2nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1021pF @ 30V

Potenza - Max

1.81W

Temperatura di esercizio

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