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FDS4935BZ

FDS4935BZ FDS4935BZ

Solo per riferimento

Numero parte FDS4935BZ
PNEDA Part # FDS4935BZ
Descrizione MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8-SOIC
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 354.678
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 22 - apr 27 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FDS4935BZ Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFDS4935BZ
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
FDS4935BZ, FDS4935BZ Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 191,23 KB)
PDFFDS4935BZ Datasheet Copertura
FDS4935BZ Datasheet Pagina 2 FDS4935BZ Datasheet Pagina 3 FDS4935BZ Datasheet Pagina 4 FDS4935BZ Datasheet Pagina 5

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FDS4935BZ Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SeriePowerTrench®
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C6.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs22mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs40nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1360pF @ 15V
Potenza - Max900mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

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Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

16A, 40A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.4mOhm @ 19A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1208pF @ 15V

Potenza - Max

22.7W, 100W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerWDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PowerPair® (6x5)

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Diodes Incorporated

Produttore

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Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

120mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.9nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

190pF @ 25V

Potenza - Max

1.13W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-VDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

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Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

46A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 23A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

123nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5600pF @ 25V

Potenza - Max

357W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.1A, 22.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

27mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2127pF @ 25V

Potenza - Max

1.5W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

300mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

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