DMG1026UVQ-7
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| Numero parte | DMG1026UVQ-7 |
| PNEDA Part # | DMG1026UVQ-7 |
| Descrizione | MOSFET 2 N-CH 60V 440MA SOT563 |
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.830 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 20 - lug 25 (Scegli Spedizione rapida) |
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DMG1026UVQ-7 Risorse
| Brand | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | DMG1026UVQ-7 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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DMG1026UVQ-7 Specifiche
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 440mA (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8Ohm @ 500mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.45pC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 32pF @ 25V |
| Potenza - Max | 650mW |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SOT-563, SOT-666 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-563 |
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Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 10.8A, 7.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.5mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1080pF @ 15V Potenza - Max 3.1W, 2.5W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
