RN1909FE(TE85L,F)
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| Numero parte | RN1909FE(TE85L,F) |
| PNEDA Part # | RN1909FE-TE85L-F |
| Descrizione | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.822 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 25 - mag 30 (Scegli Spedizione rapida) |
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RN1909FE(TE85L Risorse
| Brand | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | RN1909FE(TE85L,F) |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati |
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RN1909FE(TE85L Specifiche
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| Tipo di transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 100mA |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 50V |
| Resistenza - Base (R1) | 47kOhms |
| Resistenza - Base Emettitore (R2) | 22kOhms |
| Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 10mA, 5V |
| Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 100nA (ICBO) |
| Frequenza - Transizione | 250MHz |
| Potenza - Max | 100mW |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SOT-563, SOT-666 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | ES6 |
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Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie * Tipo di transistor - Corrente - Collettore (Ic) (Max) - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) - Resistenza - Base (R1) - Resistenza - Base Emettitore (R2) - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce - Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic - Corrente - Taglio collettore (Max) - Frequenza - Transizione - Potenza - Max - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di transistor 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Resistenza - Base (R1) 2.2kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max) 500nA Frequenza - Transizione - Potenza - Max 500mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-563 |
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Tipo di transistor 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Resistenza - Base (R1) 4.7kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max) 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione 200MHz Potenza - Max 100mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-553 Pacchetto dispositivo fornitore ESV |
Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo di transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Resistenza - Base (R1) 47kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max) - Frequenza - Transizione 100MHz Potenza - Max 250mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore PG-SOT363-6 |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Resistenza - Base (R1) 10kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) 10kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 10V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max) 500nA Frequenza - Transizione - Potenza - Max 500mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-563 |
