RJH60D5BDPQ-E0#T2
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| Numero parte | RJH60D5BDPQ-E0#T2 |
| PNEDA Part # | RJH60D5BDPQ-E0-T2 |
| Descrizione | IGBT 600V 75A 200W TO-247 |
| Produttore | Renesas Electronics America |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.074 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 18 - lug 23 (Scegli Spedizione rapida) |
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RJH60D5BDPQ-E0#T2 Risorse
| Brand | Renesas Electronics America |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | RJH60D5BDPQ-E0#T2 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
| Datasheet |
RJH60D5BDPQ-E0#T2, RJH60D5BDPQ-E0#T2 Datasheet
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RJH60D5BDPQ-E0#T2 Specifiche
| Produttore | Renesas Electronics America |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | Trench |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 600V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 75A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | - |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 37A |
| Potenza - Max | 200W |
| Switching Energy | 400µJ (on), 810µJ (off) |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 78nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 50ns/130ns |
| Condizione di test | 300V, 37A, 5Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 25ns |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 |
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