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BCR148SH6433XTMA1

BCR148SH6433XTMA1

Solo per riferimento

Numero parte BCR148SH6433XTMA1
PNEDA Part # BCR148SH6433XTMA1
Descrizione TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Produttore Infineon Technologies
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Disponibile 5.796
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BCR148SH6433XTMA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBCR148SH6433XTMA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati
Datasheet
BCR148SH6433XTMA1, BCR148SH6433XTMA1 Datasheet (Totale pagine: 11, Dimensioni: 867,7 KB)
PDFBCR 148S H6827 Datasheet Copertura
BCR 148S H6827 Datasheet Pagina 2 BCR 148S H6827 Datasheet Pagina 3 BCR 148S H6827 Datasheet Pagina 4 BCR 148S H6827 Datasheet Pagina 5 BCR 148S H6827 Datasheet Pagina 6 BCR 148S H6827 Datasheet Pagina 7 BCR 148S H6827 Datasheet Pagina 8 BCR 148S H6827 Datasheet Pagina 9 BCR 148S H6827 Datasheet Pagina 10 BCR 148S H6827 Datasheet Pagina 11

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BCR148SH6433XTMA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo di transistor2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)50V
Resistenza - Base (R1)47kOhms
Resistenza - Base Emettitore (R2)47kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce70 @ 5mA, 5V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 10mA
Corrente - Taglio collettore (Max)-
Frequenza - Transizione100MHz
Potenza - Max250mW
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitorePG-SOT363-6

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

1 NPN Pre-Biased, 1 PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA, 500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V, 12V

Resistenza - Base (R1)

10kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

10kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

250MHz, 260MHz

Potenza - Max

150mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore

EMT6

DDC144TU-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

47kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

150 @ 25mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 5mA, 50mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

850nA

Frequenza - Transizione

250MHz

Potenza - Max

200mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-363

DDC142TU-7-F

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

470Ohms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Frequenza - Transizione

200MHz

Potenza - Max

200mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-363

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

4.7kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

47kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100µA (ICBO)

Frequenza - Transizione

200MHz, 250MHz

Potenza - Max

300mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

2.2kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

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Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

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Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

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Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

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