NTMFD5C466NT1G
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| Numero parte | NTMFD5C466NT1G |
| PNEDA Part # | NTMFD5C466NT1G |
| Descrizione | 40V 8.1 MOHM T8 S08FL DUA |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.740 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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NTMFD5C466NT1G Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | NTMFD5C466NT1G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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NTMFD5C466NT1G Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | - |
| Funzione FET | - |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | - |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Potenza - Max | - |
| Temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / Custodia | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
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Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 10.8A, 7.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.5mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1080pF @ 15V Potenza - Max 3.1W, 2.5W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
Produttore Serie NexFET™ Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs 162mOhm @ 1A, 1.8V Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.7nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 595pF @ 10V Potenza - Max 700mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 9-UFBGA, DSBGA Pacchetto dispositivo fornitore 9-DSBGA |
Produttore Advanced Linear Devices Inc. Serie EPAD®, Zero Threshold™ Tipo FET 4 P-Channel, Matched Pair Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 8V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id 20mV @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2.5pF @ 5V Potenza - Max 500mW Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 16-DIP (0.300", 7.62mm) Pacchetto dispositivo fornitore 16-PDIP |
Produttore Infineon Technologies Serie * Tipo FET - Funzione FET - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
