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BSS8402DW-7-F

BSS8402DW-7-F

Solo per riferimento

Numero parte BSS8402DW-7-F
PNEDA Part # BSS8402DW-7-F
Descrizione MOSFET N/P-CH 60V/50V SC70-6
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 1.614.654
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 26 - lug 1 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BSS8402DW-7-F Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBSS8402DW-7-F
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
BSS8402DW-7-F, BSS8402DW-7-F Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 451,35 KB)
PDFBSS8402DW-7 Datasheet Copertura
BSS8402DW-7 Datasheet Pagina 2 BSS8402DW-7 Datasheet Pagina 3 BSS8402DW-7 Datasheet Pagina 4 BSS8402DW-7 Datasheet Pagina 5 BSS8402DW-7 Datasheet Pagina 6 BSS8402DW-7 Datasheet Pagina 7 BSS8402DW-7 Datasheet Pagina 8

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BSS8402DW-7-F Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo FETN and P-Channel
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)60V, 50V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C115mA, 130mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds50pF @ 25V
Potenza - Max200mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-363

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Tipo FET

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

710pF @ 15V

Potenza - Max

3.7W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

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Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

45V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21.6nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1400pF @ 10V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

150°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP

NVMFD5C470NLT1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

11A (Ta), 36A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.5mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 20µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

590pF @ 25V

Potenza - Max

3W (Ta), 24W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Serie

*

Tipo FET

-

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

QH8MA3TCR

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7A, 5.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

29mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.2nC @ 10V

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