CSD75207W15
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| Numero parte | CSD75207W15 |
| PNEDA Part # | CSD75207W15 |
| Descrizione | MOSFET 2P-CH 3.9A 9DSBGA |
| Produttore | Texas Instruments |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 140.652 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 24 - mag 29 (Scegli Spedizione rapida) |
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CSD75207W15 Risorse
| Brand | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | CSD75207W15 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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CSD75207W15 Specifiche
| Produttore | |
| Serie | NexFET™ |
| Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | - |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.9A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 162mOhm @ 1A, 1.8V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.7nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 595pF @ 10V |
| Potenza - Max | 700mW |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 9-UFBGA, DSBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 9-DSBGA |
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Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 175A Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 87.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 224nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 13700pF @ 25V Potenza - Max 694W Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia SP4 Pacchetto dispositivo fornitore SP4 |
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