NTJD4152PT1G
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| Numero parte | NTJD4152PT1G |
| PNEDA Part # | NTJD4152PT1G |
| Descrizione | MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SOT-363 |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 945.816 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | feb 1 - feb 6 (Scegli Spedizione rapida) |
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NTJD4152PT1G Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | NTJD4152PT1G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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NTJD4152PT1G Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 880mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 260mOhm @ 880mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.2nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 155pF @ 20V |
| Potenza - Max | 272mW |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
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Produttore Diodes Incorporated Serie * Tipo FET - Funzione FET - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - Tipo FET N and P-Channel, Common Drain Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 12A Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.8nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 650pF @ 20V Potenza - Max 2W Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD Pacchetto dispositivo fornitore TO-252-4L |
Produttore Renesas Electronics America Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Common Drain Funzione FET Logic Level Gate, 2.5V Drive Tensione Drain to Source (Vdss) 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 32.5mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.3nC @ 4V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 615pF @ 10V Potenza - Max 1.15W (Ta) Temperatura di esercizio 150°C Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 4-XFLGA Pacchetto dispositivo fornitore 4-EFLIP-LGA (1.11x1.11) |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 525pF @ 15V Potenza - Max 900mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
Produttore Rohm Semiconductor Serie - Tipo FET N and P-Channel Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3A (Ta), 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 170mOhm @ 3A, 10V, 290mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.5nC, 12.5nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 610pF, 1550pF @ 25V Potenza - Max 1.4W (Ta) Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOP |
