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JAN2N3501

JAN2N3501 JAN2N3501

Solo per riferimento

Numero parte JAN2N3501
PNEDA Part # JAN2N3501
Descrizione TRANS NPN 150V 0.3A
Produttore Microsemi
Prezzo unitario
1 ---------- $2.837,9713
50 ---------- $2.704,9414
100 ---------- $2.571,9115
200 ---------- $2.438,8816
400 ---------- $2.328,0234
500 ---------- $2.217,1651
Disponibile 4.944
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 22 - apr 27 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

JAN2N3501 Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteJAN2N3501
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo

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JAN2N3501 Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
SerieMilitary, MIL-PRF-19500/366
Tipo di transistorNPN
Corrente - Collettore (Ic) (Max)300mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)150V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic400mV @ 15mA, 150mA
Corrente - Taglio collettore (Max)10µA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 150mA, 10V
Potenza - Max1W
Frequenza - Transizione-
Temperatura di esercizio-65°C ~ 200°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-39 (TO-205AD)

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Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN - Darlington

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

2A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

40V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 1.2mA, 600mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

1µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

1000 @ 500mA, 3V

Potenza - Max

1W

Frequenza - Transizione

150MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

3-SIP

Pacchetto dispositivo fornitore

ATV

BC857AE6327HTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

45V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

15nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

125 @ 2mA, 5V

Potenza - Max

330mW

Frequenza - Transizione

250MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

KSC2335RTU

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

7A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

400V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1V @ 600mA, 3A

Corrente - Taglio collettore (Max)

10µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 1A, 5V

Potenza - Max

1.5W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-3

BCW66GLT3G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

800mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

45V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

700mV @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

20nA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

160 @ 100mA, 1V

Potenza - Max

300mW

Frequenza - Transizione

100MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3 (TO-236)

BC808-40LT1

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

25V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

700mV @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

250 @ 100mA, 1V

Potenza - Max

300mW

Frequenza - Transizione

100MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3 (TO-236)

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