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NE851M33-A

NE851M33-A

Solo per riferimento

Numero parte NE851M33-A
PNEDA Part # NE851M33-A
Descrizione RF TRANS NPN 5.5V 4.5GHZ 3SMINI
Produttore CEL
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.716
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 18 - lug 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NE851M33-A Risorse

Brand CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNE851M33-A
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
NE851M33-A, NE851M33-A Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 346,8 KB)
PDFNE851M33-T3-A Datasheet Copertura
NE851M33-T3-A Datasheet Pagina 2 NE851M33-T3-A Datasheet Pagina 3 NE851M33-T3-A Datasheet Pagina 4 NE851M33-T3-A Datasheet Pagina 5 NE851M33-T3-A Datasheet Pagina 6

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NE851M33-A Specifiche

ProduttoreCEL
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)5.5V
Frequenza - Transizione4.5GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz
Guadagno-
Potenza - Max130mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 5mA, 1V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia3-SMD, Flat Leads
Pacchetto dispositivo fornitore3-SuperMiniMold (M33)

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

10GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

Guadagno

14dB @ 1GHz

Potenza - Max

700mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 50mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-74, SOT-457

Pacchetto dispositivo fornitore

6-CPH

1014-12

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Frequenza - Transizione

1GHz ~ 1.4GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

6.8dB

Potenza - Max

39W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 200mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

5A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

55LT

Pacchetto dispositivo fornitore

55LT

HFA3127RZ96

Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

5 NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

8GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

3.5dB @ 1GHz

Guadagno

-

Potenza - Max

150mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 10mA, 2V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

65mA

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

16-VFQFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

16-QFN (3x3)

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

4.5V

Frequenza - Transizione

25GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz

Guadagno

23dB

Potenza - Max

135mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 25mA, 2V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-343 Reverse Pinning

Pacchetto dispositivo fornitore

4-SO

AT-41533-TR2G

Broadcom

Produttore

Broadcom Limited

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 2.4GHz

Guadagno

9dB ~ 14.5dB

Potenza - Max

225mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23

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