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NE851M33-A

NE851M33-A

Solo per riferimento

Numero parte NE851M33-A
PNEDA Part # NE851M33-A
Descrizione RF TRANS NPN 5.5V 4.5GHZ 3SMINI
Produttore CEL
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.716
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 18 - giu 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NE851M33-A Risorse

Brand CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNE851M33-A
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
NE851M33-A, NE851M33-A Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 346,8 KB)
PDFNE851M33-T3-A Datasheet Copertura
NE851M33-T3-A Datasheet Pagina 2 NE851M33-T3-A Datasheet Pagina 3 NE851M33-T3-A Datasheet Pagina 4 NE851M33-T3-A Datasheet Pagina 5 NE851M33-T3-A Datasheet Pagina 6

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NE851M33-A Specifiche

ProduttoreCEL
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)5.5V
Frequenza - Transizione4.5GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz
Guadagno-
Potenza - Max130mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 5mA, 1V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia3-SMD, Flat Leads
Pacchetto dispositivo fornitore3-SuperMiniMold (M33)

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

5V

Frequenza - Transizione

30GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz

Guadagno

20dB

Potenza - Max

250mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 3.5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

4-SMD, Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

4-TSFP

BF799WE6327BTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Frequenza - Transizione

800MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

3dB @ 100MHz

Guadagno

-

Potenza - Max

280mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 20mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

35mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT323-3

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

5V

Frequenza - Transizione

18GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.8dB ~ 1.5dB @ 2GHz

Guadagno

9.5dB ~ 11.5dB

Potenza - Max

130mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

140 @ 2mA, 1V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

3-SMD, Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

3-SuperMiniMold (M33)

CM5160

Central Semiconductor Corp

Produttore

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

40V

Frequenza - Transizione

500MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

1W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 50mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

400mA

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-39

HFA3127RZ96

Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

5 NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

8GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

3.5dB @ 1GHz

Guadagno

-

Potenza - Max

150mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 10mA, 2V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

65mA

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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