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HFA3127RZ96

HFA3127RZ96

Solo per riferimento

Numero parte HFA3127RZ96
PNEDA Part # HFA3127RZ96
Descrizione RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 16QFN
Produttore Renesas Electronics America Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.202
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 13 - mag 18 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

HFA3127RZ96 Risorse

Brand Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteHFA3127RZ96
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
HFA3127RZ96, HFA3127RZ96 Datasheet (Totale pagine: 14, Dimensioni: 832,52 KB)
PDFHFA3128RZ96 Datasheet Copertura
HFA3128RZ96 Datasheet Pagina 2 HFA3128RZ96 Datasheet Pagina 3 HFA3128RZ96 Datasheet Pagina 4 HFA3128RZ96 Datasheet Pagina 5 HFA3128RZ96 Datasheet Pagina 6 HFA3128RZ96 Datasheet Pagina 7 HFA3128RZ96 Datasheet Pagina 8 HFA3128RZ96 Datasheet Pagina 9 HFA3128RZ96 Datasheet Pagina 10 HFA3128RZ96 Datasheet Pagina 11

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HFA3127RZ96 Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America Inc.
Serie-
Tipo di transistor5 NPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)12V
Frequenza - Transizione8GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)3.5dB @ 1GHz
Guadagno-
Potenza - Max150mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce40 @ 10mA, 2V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)65mA
Temperatura di esercizio175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia16-VFQFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore16-QFN (3x3)

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

25V

Frequenza - Transizione

650MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

225mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 4mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3 (TO-236)

PH3134-11S

M/A-Com Technology Solutions

Produttore

M/A-Com Technology Solutions

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

8dB

Potenza - Max

11W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1.3A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

MS2207

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

65V

Frequenza - Transizione

1.09GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

8dB

Potenza - Max

880W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 5A, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

24A

Temperatura di esercizio

250°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

M216

Pacchetto dispositivo fornitore

M216

55GN01MA-TL-E

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

10V

Frequenza - Transizione

4.5GHz ~ 5.5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.9dB @ 1GHz

Guadagno

10dB @ 1GHz

Potenza - Max

400mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

70mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

Pacchetto dispositivo fornitore

3-MCP

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

7GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

Guadagno

11.5dB

Potenza - Max

200mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23

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