MT3S111P(TE12L,F)
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| Numero parte | MT3S111P(TE12L,F) |
| PNEDA Part # | MT3S111P-TE12L-F |
| Descrizione | RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI |
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 49.482 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 29 - giu 3 (Scegli Spedizione rapida) |
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MT3S111P(TE12L Risorse
| Brand | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MT3S111P(TE12L,F) |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - Bipolare (BJT) - RF |
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MT3S111P(TE12L Specifiche
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| Tipo di transistor | NPN |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 6V |
| Frequenza - Transizione | 8GHz |
| Figura di rumore (dB Typ @ f) | 1.25dB @ 1GHz |
| Guadagno | 10.5dB |
| Potenza - Max | 1W |
| Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 30mA, 5V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 100mA |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-243AA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PW-MINI |
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