SI7232DN-T1-GE3


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Numero parte | SI7232DN-T1-GE3 |
PNEDA Part # | SI7232DN-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V 25A PPAK 1212-8 |
Produttore | Vishay Siliconix |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 59.883 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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SI7232DN-T1-GE3 Risorse
Brand | Vishay Siliconix |
ECAD Module |
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Mfr. Numero di parte | SI7232DN-T1-GE3 |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
Datasheet |
SI7232DN-T1-GE3, SI7232DN-T1-GE3 Datasheet
(Totale pagine: 13, Dimensioni: 639,93 KB)
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SI7232DN-T1-GE3 Specifiche
Produttore | Vishay Siliconix |
Serie | TrenchFET® |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Funzione FET | Logic Level Gate |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 25A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.4mOhm @ 10A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1220pF @ 10V |
Potenza - Max | 23W |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / Custodia | PowerPAK® 1212-8 Dual |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® 1212-8 Dual |
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