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MDS400

MDS400

Solo per riferimento

Numero parte MDS400
PNEDA Part # MDS400
Descrizione RF TRANS NPN 55V 1.09GHZ 55KT
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.370
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 14 - mag 19 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MDS400 Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMDS400
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF

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MDS400 Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)55V
Frequenza - Transizione1.03GHz ~ 1.09GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)-
Guadagno6.5dB
Potenza - Max1450W
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce10 @ 1A, 5V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)40A
Temperatura di esercizio200°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / Custodia55KT
Pacchetto dispositivo fornitore55KT

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

5V

Frequenza - Transizione

30GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz

Guadagno

20dB

Potenza - Max

250mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 3.5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

4-SMD, Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

4-TSFP

0912-25

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

55V

Frequenza - Transizione

960MHz ~ 1.215GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

8.5dB ~ 10dB

Potenza - Max

125W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 300mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

2.5A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

55CT

Pacchetto dispositivo fornitore

55CT

PN3563_D26Z

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

1.5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

14dB ~ 26dB

Potenza - Max

350mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 8mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

BFR 380T E6327

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

9V

Frequenza - Transizione

14GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.1dB @ 1.8GHz

Guadagno

12.5dB

Potenza - Max

380mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 40mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-75, SOT-416

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SC-75

0912-7

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Frequenza - Transizione

960MHz ~ 1.215GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

8.5dB

Potenza - Max

50W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 100mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

55CX

Pacchetto dispositivo fornitore

55CX

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