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MRF559G

MRF559G

Solo per riferimento

Numero parte MRF559G
PNEDA Part # MRF559G
Descrizione RF TRANS NPN 16V 870MHZ MICRO X
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.826
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MRF559G Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMRF559G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
MRF559G, MRF559G Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 136,08 KB)
PDFMRF559G Datasheet Copertura
MRF559G Datasheet Pagina 2 MRF559G Datasheet Pagina 3 MRF559G Datasheet Pagina 4 MRF559G Datasheet Pagina 5

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MRF559G Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)16V
Frequenza - Transizione870MHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)-
Guadagno9.5dB
Potenza - Max2W
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce30 @ 50mA, 10V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)150mA
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaMicro-X ceramic (84C)
Pacchetto dispositivo fornitoreMicro-X ceramic (84C)

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Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

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12GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.7dB @ 2GHz

Guadagno

13dB

Potenza - Max

200mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

75 @ 30mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-82A, SOT-343

Pacchetto dispositivo fornitore

-

MS2206

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Frequenza - Transizione

1.025GHz ~ 1.15GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

10dB

Potenza - Max

7.5W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 100mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

M115

Pacchetto dispositivo fornitore

M115

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

8.5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.5dB @ 1GHz

Guadagno

12dB

Potenza - Max

200mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 20mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

5.3V

Frequenza - Transizione

12.5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.45dB @ 1GHz

Guadagno

11.8dB

Potenza - Max

800mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 30mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Tipo di transistor

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

4.5V

Frequenza - Transizione

40GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

Guadagno

23dB

Potenza - Max

200mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

110 @ 30mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

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