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NE97733-T1B-A

NE97733-T1B-A

Solo per riferimento

Numero parte NE97733-T1B-A
PNEDA Part # NE97733-T1B-A
Descrizione RF TRANS PNP 12V 8.5GHZ SOT23
Produttore CEL
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.798
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 18 - lug 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NE97733-T1B-A Risorse

Brand CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNE97733-T1B-A
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
NE97733-T1B-A, NE97733-T1B-A Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 2.433,78 KB)
PDF2SA1977-A Datasheet Copertura
2SA1977-A Datasheet Pagina 2 2SA1977-A Datasheet Pagina 3 2SA1977-A Datasheet Pagina 4 2SA1977-A Datasheet Pagina 5 2SA1977-A Datasheet Pagina 6 2SA1977-A Datasheet Pagina 7 2SA1977-A Datasheet Pagina 8 2SA1977-A Datasheet Pagina 9 2SA1977-A Datasheet Pagina 10 2SA1977-A Datasheet Pagina 11

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NE97733-T1B-A Specifiche

ProduttoreCEL
Serie-
Tipo di transistorPNP
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)12V
Frequenza - Transizione8.5GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)1.5dB @ 1GHz
Guadagno12dB
Potenza - Max200mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce20 @ 20mA, 8V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)50mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

1.1GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

400mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

97 @ 1mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

MT3S111(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

6V

Frequenza - Transizione

11.5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

Guadagno

12dB

Potenza - Max

700mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 30mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

S-Mini

61070

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

2 NPN (Dual)

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

4.5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.2dB ~ 2.5dB @ 1GHz

Guadagno

7dB ~ 9dB

Potenza - Max

200mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 7mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

6-SO

HFA3127R

Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

5 NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

8GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

3.5dB @ 1GHz

Guadagno

-

Potenza - Max

150mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 10mA, 2V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

65mA

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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