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NRVBS3200T3G

NRVBS3200T3G NRVBS3200T3G

Solo per riferimento

Numero parte NRVBS3200T3G
PNEDA Part # NRVBS3200T3G
Produttore ON Semiconductor
Descrizione DIODE SCHOTTKY 200V 3A SMB
Prezzo unitario
  • 1$ 0,0000
  • 100$ 0,0000
  • 500$ 0,0000
  • 1000$ 0,0000
  • 2500$ 0,0000
Disponibile 355
Magazzini USA, Europe, China, Hong Kong SAR
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NRVBS3200T3G Risorse

Brand ON Semiconductor
Mfr. Numero di parteNRVBS3200T3G
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
NRVBS3200T3G, NRVBS3200T3G Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 245,58 KB)
PDFNRVBS3200T3G Datasheet Copertura
NRVBS3200T3G Datasheet Pagina 2 NRVBS3200T3G Datasheet Pagina 3 NRVBS3200T3G Datasheet Pagina 4 NRVBS3200T3G Datasheet Pagina 5

NRVBS3200T3G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SerieAutomotive, AEC-Q101
Tipo di diodoSchottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)200V
Corrente - Media Rettificata (Io)3A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If840mV @ 3A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr1mA @ 200V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaDO-214AA, SMB
Pacchetto dispositivo fornitoreSMB
Temperatura di esercizio - Giunzione-65°C ~ 175°C

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Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

6A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

900mV @ 6A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

2.5µs

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 100V

Capacità @ Vr, F

150pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

P600, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

P600

Temperatura di esercizio - Giunzione

-50°C ~ 150°C

V10PM10HM3/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS®

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

10A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

750mV @ 10A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

120µA @ 100V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-277, 3-PowerDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-277A (SMPC)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 150°C

APT30D100BG

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1000V

Corrente - Media Rettificata (Io)

30A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

2.3V @ 30A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

290ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

250µA @ 1000V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-2

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

1N6658

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

*

Tipo di diodo

-

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

-

Corrente - Media Rettificata (Io)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

LS101C-GS08

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

40V

Corrente - Media Rettificata (Io)

30mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

900mV @ 15mA

Velocità

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

200nA @ 30V

Capacità @ Vr, F

2.2pF @ 0V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOD-80 Variant

Pacchetto dispositivo fornitore

SOD-80 QuadroMELF

Temperatura di esercizio - Giunzione

125°C (Max)

Certificates

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