IPB50R299CPATMA1
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Numero parte | IPB50R299CPATMA1 |
PNEDA Part # | IPB50R299CPATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 550V 12A TO-263 |
Produttore | Infineon Technologies |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 3.150 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | giu 15 - giu 20 (Scegli Spedizione rapida) |
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IPB50R299CPATMA1 Risorse
Brand | Infineon Technologies |
ECAD Module |
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Mfr. Numero di parte | IPB50R299CPATMA1 |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
IPB50R299CPATMA1, IPB50R299CPATMA1 Datasheet
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IPB50R299CPATMA1 Specifiche
Produttore | Infineon Technologies |
Serie | CoolMOS™ |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 550V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 299mOhm @ 6.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 440µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1190pF @ 100V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 104W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-3-2 |
Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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