IPB50R299CPATMA1
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| Numero parte | IPB50R299CPATMA1 |
| PNEDA Part # | IPB50R299CPATMA1 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 550V 12A TO-263 |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.150 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 13 - nov 18 (Scegli Spedizione rapida) |
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IPB50R299CPATMA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IPB50R299CPATMA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
IPB50R299CPATMA1, IPB50R299CPATMA1 Datasheet
(Totale pagine: 10, Dimensioni: 559,98 KB)
  
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IPB50R299CPATMA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | CoolMOS™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 550V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 299mOhm @ 6.6A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 440µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1190pF @ 100V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 104W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-3-2 |
| Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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