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BSS138LT1G

BSS138LT1G BSS138LT1G

Solo per riferimento

Numero parte BSS138LT1G
PNEDA Part # BSS138LT1G
Descrizione MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.061.012
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 22 - apr 27 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BSS138LT1G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBSS138LT1G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
BSS138LT1G, BSS138LT1G Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 178,05 KB)
PDFBSS138LT3 Datasheet Copertura
BSS138LT3 Datasheet Pagina 2 BSS138LT3 Datasheet Pagina 3 BSS138LT3 Datasheet Pagina 4 BSS138LT3 Datasheet Pagina 5 BSS138LT3 Datasheet Pagina 6 BSS138LT3 Datasheet Pagina 7

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BSS138LT1G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)50V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C200mA (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.5Ohm @ 200mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds50pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)225mW (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23-3 (TO-236)
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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BSS87,115

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

400mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3Ohm @ 400mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.8V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

120pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

580mW (Ta), 12.5W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-89

Pacchetto / Custodia

TO-243AA

IPW80R290C3AXKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

800V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

17A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

290mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

117nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2300pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

227W (Tc)

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO247-3

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

STH140N8F7-2

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

DeepGATE™, STripFET™ VII

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

80V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

90A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4mOhm @ 45A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

96nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6340pF @ 40V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

200W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

H2Pak-2

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

PSMN2R0-30PL,127

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

100A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.1mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.15V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

117nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6810pF @ 12V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

211W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

AON6534

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A (Ta), 30A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.6V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22.5nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

951pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

4.1W (Ta), 25W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DFN (5x6)

Pacchetto / Custodia

8-PowerSMD, Flat Leads

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