FS150R17N3E4BOSA1
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| Numero parte | FS150R17N3E4BOSA1 |
| PNEDA Part # | FS150R17N3E4BOSA1 |
| Descrizione | IGBT MODULE VCES 650V 150A |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.214 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 18 - giu 23 (Scegli Spedizione rapida) |
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FS150R17N3E4BOSA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | FS150R17N3E4BOSA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Moduli |
| Datasheet |
FS150R17N3E4BOSA1, FS150R17N3E4BOSA1 Datasheet
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FS150R17N3E4BOSA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | Trench Field Stop |
| Configurazione | Three Phase Inverter |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 1700V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 150A |
| Potenza - Max | 835W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 150A |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 1mA |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 13.5nF @ 25V |
| Input | Standard |
| Termistore NTC | Yes |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | Module |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
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