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FF900R12IP4DBOSA2

FF900R12IP4DBOSA2

Solo per riferimento

Numero parte FF900R12IP4DBOSA2
PNEDA Part # FF900R12IP4DBOSA2
Descrizione IGBT MODULE VCES 1200V 900A
Produttore Infineon Technologies
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Disponibile 7.830
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FF900R12IP4DBOSA2 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFF900R12IP4DBOSA2
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli
Datasheet
FF900R12IP4DBOSA2, FF900R12IP4DBOSA2 Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 1.714,34 KB)
PDFFF900R12IP4DBOSA2 Datasheet Copertura
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FF900R12IP4DBOSA2 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SeriePrimePack™2
Tipo IGBTTrench Field Stop
Configurazione2 Independent
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)900A
Potenza - Max5100W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.05V @ 15V, 900A
Corrente - Taglio collettore (Max)5mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce54nF @ 25V
InputStandard
Termistore NTCYes
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaModule
Pacchetto dispositivo fornitoreModule

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

225A

Potenza - Max

480W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 150A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

9.2nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP4

Pacchetto dispositivo fornitore

SP4

CM75DY-28H

Powerex Inc.

Produttore

Powerex Inc.

Serie

IGBTMOD™

Tipo IGBT

-

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1400V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

75A

Potenza - Max

600W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4.2V @ 15V, 75A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

15nF @ 10V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

FF150R12ME3GBOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Single Chopper

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200A

Potenza - Max

695W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 150A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

10.5nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

FP7G75US60

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

Power-SPM™

Tipo IGBT

-

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

75A

Potenza - Max

310W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 75A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

4.515nF @ 30V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

EPM7

Pacchetto dispositivo fornitore

EPM7

VS-GB200TS60NPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

209A

Potenza - Max

781W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.84V @ 15V, 200A

Corrente - Taglio collettore (Max)

200µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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