FS150R17N3E4BOSA1
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| Numero parte | FS150R17N3E4BOSA1 |
| PNEDA Part # | FS150R17N3E4BOSA1 |
| Descrizione | IGBT MODULE VCES 650V 150A |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.214 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 31 - giu 5 (Scegli Spedizione rapida) |
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FS150R17N3E4BOSA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | FS150R17N3E4BOSA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Moduli |
| Datasheet |
FS150R17N3E4BOSA1, FS150R17N3E4BOSA1 Datasheet
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FS150R17N3E4BOSA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | Trench Field Stop |
| Configurazione | Three Phase Inverter |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 1700V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 150A |
| Potenza - Max | 835W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 150A |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 1mA |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 13.5nF @ 25V |
| Input | Standard |
| Termistore NTC | Yes |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | Module |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
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Produttore Infineon Technologies Serie * Tipo IGBT - Configurazione - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) - Corrente - Collettore (Ic) (Max) - Potenza - Max - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Corrente - Taglio collettore (Max) - Capacità di ingresso (Cies) @ Vce - Input - Termistore NTC - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo IGBT Trench Field Stop Configurazione Three Phase Inverter Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 200A Potenza - Max 600W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 200A Corrente - Taglio collettore (Max) 1mA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 13nF @ 25V Input Standard Termistore NTC Yes Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia Module Pacchetto dispositivo fornitore Module |
Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo IGBT Trench Field Stop Configurazione Single Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 840A Potenza - Max 3000W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 600A Corrente - Taglio collettore (Max) 5mA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 37.2nF @ 25V Input Standard Termistore NTC No Temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia Module Pacchetto dispositivo fornitore D3 |
Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo IGBT - Configurazione 2 Independent Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 370A Potenza - Max 1950W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.75V @ 15V, 300A Corrente - Taglio collettore (Max) 5mA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 20nF @ 25V Input Standard Termistore NTC No Temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia Module Pacchetto dispositivo fornitore Module |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo IGBT - Configurazione Half Bridge Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 500A Potenza - Max 1645W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 300A Corrente - Taglio collettore (Max) 5mA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 21.2nF @ 25V Input Standard Termistore NTC No Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia Double INT-A-PAK (3 + 4) Pacchetto dispositivo fornitore Double INT-A-PAK |
