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FDS9933A

FDS9933A

Solo per riferimento

Numero parte FDS9933A
PNEDA Part # FDS9933A
Descrizione MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 8SOIC
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.784
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 30 - mag 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FDS9933A Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFDS9933A
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
FDS9933A, FDS9933A Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 177,7 KB)
PDFFDS9933A Datasheet Copertura
FDS9933A Datasheet Pagina 2 FDS9933A Datasheet Pagina 3 FDS9933A Datasheet Pagina 4 FDS9933A Datasheet Pagina 5 FDS9933A Datasheet Pagina 6 FDS9933A Datasheet Pagina 7

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FDS9933A Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SeriePowerTrench®
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs75mOhm @ 3.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds600pF @ 10V
Potenza - Max900mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12A, 17A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1750pF @ 15V

Potenza - Max

800mW, 900mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerWDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

8-MLP (3x4.5)

IRF7756

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 4.3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1400pF @ 10V

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

DN2625DK6-G

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Depletion Mode

Tensione Drain to Source (Vdss)

250V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.5Ohm @ 1A, 0V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.04nC @ 1.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1000pF @ 25V

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-VDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DFN (5x5)

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

45V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

53mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.4nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

460pF @ 10V

Potenza - Max

550mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

800V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

28A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

150mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 2mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

180nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4507pF @ 25V

Potenza - Max

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