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APTC80A15T1G

APTC80A15T1G

Solo per riferimento

Numero parte APTC80A15T1G
PNEDA Part # APTC80A15T1G
Descrizione MOSFET 2N-CH 800V 28A SP1
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.042
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 24 - lug 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

APTC80A15T1G Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPTC80A15T1G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
APTC80A15T1G, APTC80A15T1G Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 320,62 KB)
PDFAPTC80A15T1G Datasheet Copertura
APTC80A15T1G Datasheet Pagina 2 APTC80A15T1G Datasheet Pagina 3 APTC80A15T1G Datasheet Pagina 4 APTC80A15T1G Datasheet Pagina 5 APTC80A15T1G Datasheet Pagina 6

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APTC80A15T1G Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Half Bridge)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs150mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.9V @ 2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs180nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds4507pF @ 25V
Potenza - Max277W
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaSP1
Pacchetto dispositivo fornitoreSP1

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

1.3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

56.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3315pF @ 6V

Potenza - Max

2.67W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-SMD, No Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

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Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

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Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

180mA, 145mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

400mV @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.75nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

250mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18mOhm @ 5.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1286pF @ 10V

Potenza - Max

600mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

SI7540DP-T1-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.6A, 5.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17mOhm @ 11.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.4W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

250mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.2Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

12pF @ 10V

Potenza - Max

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