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APTC80A15T1G

APTC80A15T1G

Solo per riferimento

Numero parte APTC80A15T1G
PNEDA Part # APTC80A15T1G
Descrizione MOSFET 2N-CH 800V 28A SP1
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.042
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 9 - mag 14 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

APTC80A15T1G Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPTC80A15T1G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
APTC80A15T1G, APTC80A15T1G Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 320,62 KB)
PDFAPTC80A15T1G Datasheet Copertura
APTC80A15T1G Datasheet Pagina 2 APTC80A15T1G Datasheet Pagina 3 APTC80A15T1G Datasheet Pagina 4 APTC80A15T1G Datasheet Pagina 5 APTC80A15T1G Datasheet Pagina 6

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APTC80A15T1G Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Half Bridge)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs150mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.9V @ 2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs180nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds4507pF @ 25V
Potenza - Max277W
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaSP1
Pacchetto dispositivo fornitoreSP1

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Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

180mA, 145mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

400mV @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.75nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

250mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.6A, 5.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17mOhm @ 11.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.4W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Renesas Electronics America Inc.

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Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

5.5V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

16A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

0.95mOhm @ 8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

0.9V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

600pF @ 5V

Potenza - Max

2.5W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V (1.2kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

300A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 68mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

35000pF @ 10V

Potenza - Max

1875W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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Module

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Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5A, 6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

170pF @ 15V

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