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DN2625DK6-G

DN2625DK6-G

Solo per riferimento

Numero parte DN2625DK6-G
PNEDA Part # DN2625DK6-G
Descrizione MOSFET 2N-CH 250V 1.1A 8VDFN
Produttore Microchip Technology
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.300
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 4 - mag 9 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DN2625DK6-G Risorse

Brand Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDN2625DK6-G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array

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DN2625DK6-G Specifiche

ProduttoreMicrochip Technology
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETDepletion Mode
Tensione Drain to Source (Vdss)250V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C1.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.5Ohm @ 1A, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.04nC @ 1.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1000pF @ 25V
Potenza - Max-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-VDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore8-DFN (5x5)

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20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

145mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8Ohm @ 150mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

250mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.5A, 2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

95mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.6nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

282pF @ 15V

Potenza - Max

700mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

-

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Produttore

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

50V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

280mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2Ohm @ 50mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.76nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V

Potenza - Max

350mW

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-563

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

225mOhm @ 1.6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.7nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

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Temperatura di esercizio

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