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NTZD3155CT1H

NTZD3155CT1H

Solo per riferimento

Numero parte NTZD3155CT1H
PNEDA Part # NTZD3155CT1H
Descrizione MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Produttore ON Semiconductor
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Disponibile 4.572
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NTZD3155CT1H Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNTZD3155CT1H
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
NTZD3155CT1H, NTZD3155CT1H Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 114,67 KB)
PDFNTZD3155CT1H Datasheet Copertura
NTZD3155CT1H Datasheet Pagina 2 NTZD3155CT1H Datasheet Pagina 3 NTZD3155CT1H Datasheet Pagina 4 NTZD3155CT1H Datasheet Pagina 5 NTZD3155CT1H Datasheet Pagina 6 NTZD3155CT1H Datasheet Pagina 7 NTZD3155CT1H Datasheet Pagina 8

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NTZD3155CT1H Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FETN and P-Channel
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C540mA, 430mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs550mOhm @ 540mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.5nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds150pF @ 16V
Potenza - Max250mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-563-6

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

86A, 303A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.75mOhm @ 27A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 35µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1735pF @ 13V

Potenza - Max

156W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

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Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

100mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8Ohm @ 50mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

12.2pF @ 3V

Potenza - Max

150mW

Temperatura di esercizio

150°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

50V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

300mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12.5nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

330pF @ 25V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

17A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13.9nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

903pF @ 15V

Potenza - Max

900mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

54.7A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17.4mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28.6nC @ 10V

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