ALD114913PAL
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| Numero parte | ALD114913PAL |
| PNEDA Part # | ALD114913PAL |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP |
| Produttore | Advanced Linear Devices Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.952 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 17 - mag 22 (Scegli Spedizione rapida) |
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ALD114913PAL Risorse
| Brand | Advanced Linear Devices Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | ALD114913PAL |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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ALD114913PAL Specifiche
| Produttore | Advanced Linear Devices Inc. |
| Serie | EPAD® |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
| Funzione FET | Depletion Mode |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 10.6V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12mA, 3mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500Ohm @ 2.7V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.26V @ 1µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2.5pF @ 5V |
| Potenza - Max | 500mW |
| Temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-PDIP |
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Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 7A, 5.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1932pF @ 15V Potenza - Max 1.19W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
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