FD6M045N06
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| Numero parte | FD6M045N06 |
| PNEDA Part # | FD6M045N06 |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 60V 60A EPM15 |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.484 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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FD6M045N06 Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | FD6M045N06 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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FD6M045N06 Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | Power-SPM™ |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 60A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 40A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 87nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3890pF @ 25V |
| Potenza - Max | - |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | EPM15 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | EPM15 |
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Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 190pF @ 15V Potenza - Max 2W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
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