HP8S36TB
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| Numero parte | HP8S36TB |
| PNEDA Part # | HP8S36TB |
| Descrizione | 30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET, |
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.428 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 4 - mag 9 (Scegli Spedizione rapida) |
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HP8S36TB Risorse
| Brand | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | HP8S36TB |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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HP8S36TB Specifiche
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Funzione FET | - |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 27A, 80A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4mOhm @ 32A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 47nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6100pF @ 15V |
| Potenza - Max | 29W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerTDFN |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-HSOP |
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Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 5.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.6nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 500pF @ 15V Potenza - Max 1W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-UDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore U-DFN2020-6 (Type B) |
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