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FD6M045N06

FD6M045N06

Solo per riferimento

Numero parte FD6M045N06
PNEDA Part # FD6M045N06
Descrizione MOSFET 2N-CH 60V 60A EPM15
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.484
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 18 - mag 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FD6M045N06 Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFD6M045N06
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
FD6M045N06, FD6M045N06 Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 561,12 KB)
PDFFD6M045N06 Datasheet Copertura
FD6M045N06 Datasheet Pagina 2 FD6M045N06 Datasheet Pagina 3 FD6M045N06 Datasheet Pagina 4 FD6M045N06 Datasheet Pagina 5 FD6M045N06 Datasheet Pagina 6 FD6M045N06 Datasheet Pagina 7 FD6M045N06 Datasheet Pagina 8 FD6M045N06 Datasheet Pagina 9

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FD6M045N06 Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SeriePower-SPM™
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C60A
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.5mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs87nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds3890pF @ 25V
Potenza - Max-
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaEPM15
Pacchetto dispositivo fornitoreEPM15

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Produttore

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.7A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

26mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.2nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

570pF @ 10V

Potenza - Max

890mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

75V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

48mOhm @ 4.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.4W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.3nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

458pF @ 15V

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-UDFN Exposed Pad

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Produttore

Infineon Technologies

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

270mOhm @ 1.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

700mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.2nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

240pF @ 15V

Potenza - Max

1.25W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Tipo FET

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Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

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