DMN2022UNS-13
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| Numero parte | DMN2022UNS-13 |
| PNEDA Part # | DMN2022UNS-13 |
| Descrizione | MOSFET 8V 24V POWERDI3333-8 |
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.454 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 8 - mag 13 (Scegli Spedizione rapida) |
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DMN2022UNS-13 Risorse
| Brand | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | DMN2022UNS-13 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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DMN2022UNS-13 Specifiche
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10.7A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.8mOhm @ 4A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20.3nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1870pF @ 10V |
| Potenza - Max | 1.2W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerVDFN |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerDI3333-8 |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 8V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 775mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 570mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 225pF @ 8V Potenza - Max 270mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET N and P-Channel, Common Drain Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V, 8V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 12A, 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 805pF @ 15V Potenza - Max 4.5W, 3.1W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 450mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.3nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 10V Potenza - Max 300mW (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore SC-88 (SC-70-6) |
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 6.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max 2W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
