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NTJD2152PT4

NTJD2152PT4

Solo per riferimento

Numero parte NTJD2152PT4
PNEDA Part # NTJD2152PT4
Descrizione MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.196
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 6 - mag 11 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NTJD2152PT4 Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNTJD2152PT4
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
NTJD2152PT4, NTJD2152PT4 Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 133,65 KB)
PDFNTJD2152PT4G Datasheet Copertura
NTJD2152PT4G Datasheet Pagina 2 NTJD2152PT4G Datasheet Pagina 3 NTJD2152PT4G Datasheet Pagina 4 NTJD2152PT4G Datasheet Pagina 5 NTJD2152PT4G Datasheet Pagina 6

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NTJD2152PT4 Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)8V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C775mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs300mOhm @ 570mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds225pF @ 8V
Potenza - Max270mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitoreSC-88/SC70-6/SOT-363

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Vishay Siliconix

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Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.4A, 3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 4.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

1206-8 ChipFET™

PMGD290UCEAX

Nexperia

Produttore

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Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

725mA, 500mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

380mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.68nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

83pF @ 10V

Potenza - Max

280mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

6-TSSOP

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 4.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

39nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1700pF @ 15V

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V, 20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9.5A, 6.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17mOhm @ 11.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30.4nC @ 8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1525pF @ 6V

Potenza - Max

2.3W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

39A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

70mOhm @ 39A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 2.7mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

259nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7000pF @ 25V

Potenza - Max

250W

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