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FDG6303N-F169

FDG6303N-F169

Solo per riferimento

Numero parte FDG6303N-F169
PNEDA Part # FDG6303N-F169
Descrizione MOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC70-6
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.526
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Consegna stimata mag 19 - mag 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FDG6303N-F169 Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFDG6303N-F169
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
FDG6303N-F169, FDG6303N-F169 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 528,3 KB)
PDFFDG6303N-F169 Datasheet Copertura
FDG6303N-F169 Datasheet Pagina 2 FDG6303N-F169 Datasheet Pagina 3 FDG6303N-F169 Datasheet Pagina 4 FDG6303N-F169 Datasheet Pagina 5 FDG6303N-F169 Datasheet Pagina 6 FDG6303N-F169 Datasheet Pagina 7

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FDG6303N-F169 Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs450mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.3nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds50pF @ 10V
Potenza - Max300mW (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitoreSC-88 (SC-70-6)

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

26A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

31mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27.3nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3168pF @ 25V

Potenza - Max

64W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-1205, 8-LFPAK56

Pacchetto dispositivo fornitore

LFPAK56D

ALD110808PCL

Advanced Linear Devices Inc.

Produttore

Advanced Linear Devices Inc.

Serie

EPAD®

Tipo FET

4 N-Channel, Matched Pair

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

10.6V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12mA, 3mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500Ohm @ 4.8V

Vgs (th) (Max) @ Id

820mV @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2.5pF @ 5V

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

16-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

16-PDIP

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

80V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

74mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

634pF @ 40V

Potenza - Max

900mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

2 N Channel (Dual Buck Chopper)

Funzione FET

Super Junction

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

49A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 24.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 3mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

150nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7200pF @ 25V

Potenza - Max

250W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Tensione Drain to Source (Vdss)

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

25A (Tj)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 25A, 15V (Typ)

Vgs (th) (Max) @ Id

5.55V @ 10mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

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