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DMC3021LK4-13

DMC3021LK4-13

Solo per riferimento

Numero parte DMC3021LK4-13
PNEDA Part # DMC3021LK4-13
Descrizione MOSFET N/P-CH 30V TO252-4L
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 19.506
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 7 - mag 12 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMC3021LK4-13 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDMC3021LK4-13
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
DMC3021LK4-13, DMC3021LK4-13 Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 387,65 KB)
PDFDMC3021LK4-13 Datasheet Copertura
DMC3021LK4-13 Datasheet Pagina 2 DMC3021LK4-13 Datasheet Pagina 3 DMC3021LK4-13 Datasheet Pagina 4 DMC3021LK4-13 Datasheet Pagina 5 DMC3021LK4-13 Datasheet Pagina 6 DMC3021LK4-13 Datasheet Pagina 7 DMC3021LK4-13 Datasheet Pagina 8 DMC3021LK4-13 Datasheet Pagina 9 DMC3021LK4-13 Datasheet Pagina 10

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  • DMC3021LK4-13 Distributor

DMC3021LK4-13 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo FETN and P-Channel, Common Drain
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C9.4A, 6.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs21mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17.4nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds751pF @ 10V
Potenza - Max2.7W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-252-4L

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Tipo FET

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

45V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.25W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

200mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5Ohm @ 100mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.44nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

20pF @ 10V

Potenza - Max

260mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-666

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.1A, 2.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11.5nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

731pF @ 20V

Potenza - Max

1.6W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

16A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.2mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 35µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1350pF @ 13V

Potenza - Max

1.7W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Tipo FET

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 3.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

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